參數(shù)資料
型號(hào): DD62S
英文描述: SCR / Diode Modules
中文描述: SCR /二極管模塊
文件頁(yè)數(shù): 3/3頁(yè)
文件大小: 161K
代理商: DD62S
DD 62 S
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
1
2
3
4
5
6
7
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
per arm for DC
Analytische Funktion / Analytical function:
n
n=1
Z
thJC
= R
thn
(1-e )
t
n
0,0102
0,0329
0,0805
0,0741
0,072
0,00112
0,0175
0,322
1,21
7,5
0.70
0.80
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
10
-3
t [s]
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Z
(th) JC
[
°
C/W]
DD 61 S/3
1.
2.
3.
4.
5.
1. Konstantstrom
2. Sinus, F=50Hz, Stromfluwinkel: 180°
3. Rechteck, F=50Hz, Stromfluwinkel: 180°
4. Rechteck, F=50Hz, Stromfluwinkel: 120°
5. Rechteck, F=50Hz, Stromfluwinkel: 60°
Bild / Fig. 3
Transienter innerer Wrmewiderstand Z
thJC
für einen Zweig bei sinus- und
trapezfrmigem Stromverlauf /
Transient thermal impedance Z
thJC
, junction to case per arm at sinussoidal
and trapezoidal waveform
0
DD 62 S/1
50
100
150
200
250
Q
r
[μAs]
-di
F
/dt [A/μs]
100
300
200
10 A
20 A
40 A
80 A
160 A
320 A
640 A
I
FM
= 1280 A
0
DD 62 S/2
50
100
150
200
250
I
RM
[A]
-di
F
/dt [A/μs]
100
300
200
10 A
20 A
40 A
80 A
160 A
320 A 640 A
I
FM
= 1280 A
Bild / Fig. 2
Rückstromspitze I
= f(-di/dt), t
vj
= t
, v
R
0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Peak reverse recovery current I
RM
= f(-di/dt), t
vj
= t
vj (max)
, v
R
0,5 V
RRM
v
= 0,8 V
Parameter: Durchlastrom / On-state current I
TM
Bild / Fig. 1
Sperrverzgerungsladung Q
r
= f(-di/dt), t
vj
= t
vj (max)
, v
R
0,5 V
RRM
,
v
= 0,8 V
/
Recovered charge Q
r
= f(-di/dt), t
vj
= t
vj (max)
, v
R
0,5 V
RRM
,
v
= 0,8 V
Parameter: Durchlastrom / On-state current I
FM
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