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參數(shù)資料
| 型號： | DBFS450R17KE321 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 302K |
| 代理商： | DBFS450R17KE321 |
vorlufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS450R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
min.
typ.
max.
-
-
0,060
K/W
-
-
0,100
K/W
g
weight
-
6
Nm
G
910
terminal connection torque
-
M
3
6
internal insulation
CTI
comperative tracking index
225
case, see appendix
Gehuse, siehe Anlage
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
M
3
Schraube / screw M5
Anschlüsse / terminals M6
Gewicht
Al
2
O
3
Abweichung von R
100
deviation of R
100
R
25
-
k
Thermische Eigenschaften / thermal properties
-5
-
5
-
5
übergangs Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
T
vj max
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1W/m*K /
λ
grease
= 1W/m*K
R
thCK
Verlustleistung
power dissipation
T
c
= 100°C, R
100
= 493
R/R
T
c
= 25°C
P
25
B-value
%
-
-
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand
rated resistance
T
c
= 25°C
B-Wert
R
2
= R
1
exp[B(1/T
2
- 1/T
1
)]
B
25/50
K/W
-
0,005
-
3375
-
K
20
mW
150
-
operation temperature
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
°C
-
-
-40
-
Hchstzulssige Sperrschichttemp.
-
125
Lagertemperatur
storage temperature
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the
belonging technical notes.
Innerer Wrmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to case; DC
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
R
thJC
Nm
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
T
vj op
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
125
°C
°C
T
stg
-40
12,7
mm
creepage distance
Kriechstrecke
10,0
mm
clearance distance
Luftstrecke
3 (8)
DB_FS450R12KE3_2.0
2002-10-28
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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