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參數(shù)資料
| 型號： | DBFS35R12YT320 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 302K |
| 代理商： | DBFS35R12YT320 |
Technische Information / technical information
FS300R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
35,73
6,499E-02
63,02
6,499E-02
Z
thJC
= f (t)
3
4,84
2
42,82
2,601E-02
2,364E-03
8,52
2,364E-03
Transienter Wrmewiderstand
Transient thermal impedance
1,61
1,187E-05
2,83
1,187E-05
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
V
GE
=±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
=125°C
i
r
i
[K/kW] : IGBT
τ
i
[s] : IGBT
r
i
[K/kW] : Diode
τ
i
[s] : Diode
1
75,63
2,601E-02
4
0,001
0,01
0,1
1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
Z
t
Zth : IGBT
Zth : Diode
IC,Chip
0
100
200
300
400
500
600
700
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
CE
[V]
I
C
IC,Chip
7 (8)
DB_FS300R12KE3_2.0
2002-10-28
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DBFS450R12KE320 | IGBT Module |
| DBFS450R17KE321 | IGBT Module |
| DBFS50R06YL421 | IGBT Module |
| DBFS50R12KE330 | IGBT Module |
| DBFS50R12KT320 | IGBT Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DBFT1-00-E1-EVAL-KT | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:DEVELOPMENT BOARD FOR DB-FT1 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:E64 G-SERIES T56N DEVELOPMENT BOARD KIT - Boxed Product (Development Kits) |
| DBG | 制造商:Schneider Electric 功能描述:480/277V DIAGNOSTIC PCB - Bulk |
| DBG-102EF | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
| DBG-102LTF | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
| DBG-103EF | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
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