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參數(shù)資料
| 型號： | DBFP25R12KT320 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 363K |
| 代理商： | DBFP25R12KT320 |
8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP25R12KT3
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-8
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (I)
Róò = 36 , V = 600 V, TY = 125°C
I [A]
E
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
Etê
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (R)
I = 25 A, V = 600 V, TY = 125°C
R []
E
0
10
20
30
40
50
60
70
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
Etê
Transienter Wrmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,01
0,1
1
10
Zúì : Diode
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,1375
0,003333
2
0,888
0,03429
3
0,2558
0,1294
4
0,08101
0,7662
Durchlakennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)
forward characteristic of diode-rectifier (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
TY = 25°C
TY = 150°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DBFP40R12KT320 | IGBT Module |
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參數(shù)描述 |
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