- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378529 > DBFP15R12KT321 IGBT Module PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | DBFP15R12KT321 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 316K |
| 代理商： | DBFP15R12KT321 |
8
Technische Information / technical information
FP15R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-12-2
revision: 2.1
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (I)
Róò = 75 , V = 600 V, TY = 125°C
I [A]
E
0
5
10
15
20
25
30
2,0
1,8
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
Etê
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (R)
I = 15 A, V = 600 V, TY = 125°C
R []
E
40
50
60
70
80
90
100 110 120 130 140
2,0
1,8
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
Etê
Transienter Wrmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,01
0,1
1
10
Zúì : Diode
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,1514
0,003333
2
0,9778
0,03429
3
0,2816
0,1294
4
0,0892
0,7662
Durchlakennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)
forward characteristic of diode-rectifier (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
30
25
20
15
10
5
0
TY = 25°C
TY = 150°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DBFP25R12KT320 | IGBT Module |
| DBFP40R12KT320 | IGBT Module |
| DBFP40R12KT3G21 | IGBT Module |
| DBFP75R12KT320 | IGBT Module |
| DBFS300R12KE320 | IGBT Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DBFT1-00-E1-EVAL-KT | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:DEVELOPMENT BOARD FOR DB-FT1 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:E64 G-SERIES T56N DEVELOPMENT BOARD KIT - Boxed Product (Development Kits) |
| DBG | 制造商:Schneider Electric 功能描述:480/277V DIAGNOSTIC PCB - Bulk |
| DBG-102EF | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
| DBG-102LTF | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
| DBG-103EF | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。