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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DBFF800R17KE320 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 124K |
| 代理商： | DBFF800R17KE320 |
vorlufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FF800R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
Z
thJC
= f (t)
3
1,83
2,997E-02
21,17
2,647E-02
Transient thermal impedance
6,897E-01
18,37
4,452E-01
Transienter Wrmewiderstand
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
V
GE
=±15V, T
vj
=125°C
i
r
i
[K/kW] : IGBT
i
[s] : IGBT
r
i
[K/kW] : Diode
i
[s] : Diode
1
13,45
4,30
2,850E-03
20,16
7,451E-02
0,60
3,820E-03
2
16,12
5,634E-02
4
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
Z
t
Zth : IGBT
Zth : Diode
IC,Chip
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
CE
[V]
I
C
IC,Chip
7 (8)
DB_FF800R12KE3_2.0.xls
2002-07-30
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| DBFP25R12KT320 | IGBT Module |
| DBFP40R12KT320 | IGBT Module |
| DBFP40R12KT3G21 | IGBT Module |
| DBFP75R12KT320 | IGBT Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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