參數(shù)資料
型號: DBFF200R12KE330
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大小: 147K
代理商: DBFF200R12KE330
Technische Information / technical information
FF200R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
-
-
0,12
K/W
-
-
0,20
K/W
2,5
-
5,0
6,0
Anschlüsse / terminals M6
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Schraube M6 / screw M6
M
Nm
Thermische Eigenschaften / thermal properties
R
thCK
thermal resistance, case to heatsink
übergangs Wrmewiderstand
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1W/m*K /
λ
grease
= 1W/m*K
Innerer Wrmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to case; DC
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
T
v max
Lagertemperatur
storage temperature
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
T
vj op
Hchstzulssige Sperrschichttemp.
Nm
°C
T
stg
-40
-
125
-
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
K/W
°C
°C
125
-
0,01
-
-
-
150
-40
-
R
thJC
340
case, see appendix
Gehuse, siehe Anlage
g
3,0
425
Al
2
O
3
weight
G
Gewicht
M
CTI
comperative tracking index
20
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
mm
creepage distance
Kriechstrecke
11
mm
clearance distance
Luftstrecke
3 (8)
DB_FF200R12KE3_3.0
2002-10-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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