
Technische Information / Technical Information
FF100R12KS4
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
Transistor / transistor,DC , pro Modul / per module
R
thJC
-
-
0,08
K/W
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor,DC , pro Zweig / per arm
-
-
0,16
K/W
Diode / Diode, DC, pro Modul / per module
-
-
0,15
K/W
Diode / Diode, DC, pro Zweig / per arm
-
-
0,30
K/W
übergangs-Wrmewiderstand pro Modul / per module
R
thCK
-
0,01
-
K/W
thermal resistance, case to heatsink
pro Zweig / per arm
-
0,02
-
K/W
λ
Paste
= 1 W/m*K /
λ
grease
= 1 W/m*K
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
vj op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
Kriechstrecke
creepage distance
20
mm
Luftstrecke
clearance distance
11
mm
CTI
comperative tracking index
425
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Nm
Gewicht
weight
G
340
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
Schraube / screw M6
Anschlüsse / terminals M6
M
M
2,5
-
5
3
-
6
3 (8)
DB_FF100R12KS4_3.0
2003-01-13