參數(shù)資料
型號： DBFF1200R17KE320
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 143K
代理商： DBFF1200R17KE320
Technische Information / Technical Information
FF100R12KS4
IGBT-Module
IGBT-Modules
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
I
C
= 100A, V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V, R
G
= 9,1
, T
vj
= 25°C
t
d,on
-
0,10
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 9,1
, T
vj
= 125°C
-
0,13
-
μs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= 100A, V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V, R
G
= 9,1
, T
vj
= 25°C
t
r
-
0,09
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 9,1
, T
vj
= 125°C
-
0,10
-
μs
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
I
C
= 100A, V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V, R
G
= 9,1
, T
vj
= 25°C
t
d,off
-
0,53
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 9,1
, T
vj
= 125°C
-
0,59
-
μs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I
C
= 100A, V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V, R
G
= 9,1
, T
vj
= 25°C
t
f
-
0,06
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 9,1
, T
vj
= 125°C
-
0,07
-
μs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I
C
= 100A, V
CE
= 600V, V
GE
= ±15V
R
G
= 9,1
, T
vj
= 125°C, L
σ
= 60nH
E
on
-
9,5
-
mJ
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I
C
= 100A, V
CE
= 600V, V
GE
= ±15V
R
G
= 9,1
, T
vj
= 125°C, L
σ
= 60nH
E
off
-
7,7
-
mJ
Kurzschluverhalten
SC Data
t
P
≤
10μs, V
GE
≤
15V, R
G
= 9,1
T
vj
≤
125°C, V
CC
=900V, V
CEmax
=V
CES
-L
σ
CE
·di/dt
I
SC
-
650
-
A
Modulinduktivitt
stray inductance module
Anschlüsse / terminals 2-3
L
σ
CE
-
20
-
nH
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip
module lead resistance, terminals – chip
pro Zweig / per arm, T
C
=25°C
R
CC‘+EE‘
-
0,7
-
m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
forward voltage
I
F
= 100A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
V
F
-
2,0
2,4
V
I
F
= 100A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
1,7
-
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 100A, - di
F
/dt = 1000A/μs
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
I
RM
-
68
-
A
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
-
110
-
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I
F
= 100A, - di
F
/dt = 1000A/μs
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
Q
r
-
7,5
-
μC
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
-
20,0
-
μC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
= 100A, - di
F
/dt = 1000A/μs
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
E
rec
-
4,0
-
mJ
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
-
9,5
-
mJ
2 (8)
DB_FF100R12KS4_3.0
2003-01-13
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PDF描述
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