基于NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
Everspin科技推出MR4A16B業(yè)界首款16Mb MRAM
三星電子推出更高性能20納米級NAND閃存存儲器
MRAM以優(yōu)異性能邁入商用存儲器行列
恒憶推出新相變存儲器大幅提升寫入性能和耐寫次數(shù)
非易失性存儲器的可配置性
非易失性存儲器的可配置性
如何實(shí)現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接
如何實(shí)現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接
利用FastFrame分段存儲技術(shù)改善數(shù)據(jù)捕獲質(zhì)量
利用FastFrame分段存儲技術(shù)改善數(shù)據(jù)捕獲質(zhì)量
恒憶（NUMONYX）推出新系列相變存儲器
恒憶（NUMONYX）推出新系列相變存儲器
DDR信號測量方法及信號完整性驗(yàn)證面臨的挑戰(zhàn)與建議
NIOS II的SOPC中存儲器型外設(shè)接口的設(shè)計(jì)
如何用固態(tài)硬盤（SSD）創(chuàng)建零級存儲
MAXQ3180入門：寄存器配置
基于串行Flash存儲器的點(diǎn)陣字庫的設(shè)計(jì)
LSI發(fā)布PCI Express固態(tài)存儲解決方案樣片
基于LabVIEW的存儲器檢測系統(tǒng)研究
意法半導(dǎo)體推出配備達(dá)1MB片上閃存的微控制器
恒憶推出業(yè)界首款 65nm 多路輸入輸出串行閃存系列產(chǎn)品
基于速大容量存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)
基于FLASH星載存儲器的高效管理研究
LSI推出PowerPC 476 MCU內(nèi)核和高速嵌入式DRAM內(nèi)存模塊
用高帶寬混合信號示波器進(jìn)行DDR驗(yàn)證和調(diào)試的技巧
用中檔FPGA實(shí)現(xiàn)高速DDR3存儲器控制器
COP8SAx7和基于閃存的COP8TAx9系列的比較-硬件和軟件考慮事項(xiàng)
Maxim發(fā)布集成MTP存儲器的可編程gamma校準(zhǔn)基準(zhǔn)系統(tǒng)
利用數(shù)字存儲示波器對特殊信號進(jìn)行測量
將USB3.0用于存儲媒體應(yīng)用
Symwave宣布推出首款USB 3.0 RAID存儲控制器
Renesas推出三重內(nèi)容可尋址存儲器
Netlist推出提高服務(wù)器使用的DDR3模塊
Inphi 推出提高DDR3系統(tǒng)容量和速度的隔離存儲緩沖器
東芝推出業(yè)界最高容量（64GB）的嵌入式NAND閃存模塊
非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制
延長Flash存儲器使用壽命的研究
ST推出一款全新2-Kbit非接觸式存儲器IC
閃存S29AL016D在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中的應(yīng)用
旺宏電子推出業(yè)界首顆256Mbit序列快閃存儲器
基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設(shè)計(jì)
USB OTG技術(shù)及其在存儲測試中的應(yīng)用
DDR存儲器電氣特性驗(yàn)證
Supermicro推出雙面存儲機(jī)箱有更高密度存儲空間
基于USB存儲技術(shù)的電子語音記錄系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案
基于某型數(shù)據(jù)存儲壓力儀的圖形用戶界面開發(fā)
海洋要素測量系統(tǒng)的控制存儲電路設(shè)計(jì)
DDR SDRAM控制器數(shù)據(jù)通道的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
大容量輔助存儲系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
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