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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DA28F016XS-15 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 20 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 16 X 23.70 MM, SSOP1-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 39/63頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 635K |
| 代理商： | DA28F016XS-15 |
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E
5.6 AC Characteristics
—Read Only Operations
(1)
(Continued)
V
CC
= 5V
± 0.5V, 5V ± 0.25V, T
A
= 0°C to +70°C, –40°C to +85°C
Temp
28F016SV FlashFile MEMORY
39
Commercial
Comm/Ext
Speed
–65
–70
–80
Sym
Parameter
V
CC
5V ± 5%V
5V ± 10%
5V ± 10%
Units
Load
30 pF
50 pF
50 pF
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
Read Cycle Time
65
70
80
ns
t
AVQV
Address to Output Delay
65
70
80
ns
t
ELQV
CE# to Output Delay
2,8
65
70
80
ns
t
PHQV
RP# to Output Delay
400
480
(6)
400
(7)
480
ns
t
GLQV
OE# to Output Delay
2
30
30
(6)
35
(7)
35
ns
t
ELQX
CE# to Output in Low Z
3,8
0
0
0
ns
t
EHQZ
CE# to Output in High Z
3,8
25
25
30
ns
t
GLQX
OE# to Output in Low Z
3
0
0
0
ns
t
GHQZ
OE# to Output in High Z
3
15
15
20
ns
t
OH
Output Hold from
Address, CE# or OE#
Change, Whichever
Occurs First
3,8
0
0
0
ns
t
FLQV
t
FHQV
t
FLQZ
BYTE# to Output Delay
3
65
70
80
ns
BYTE# Low to Output in
High Z
3
25
25
30
ns
t
ELFL
t
ELFH
CE# Low to BYTE#
High or Low
3,8
5
5
5
ns
Extended Status Register Reads
t
AVEL
Address Setup to CE#
Going Low
3,4,8,9
0
0
0
ns
t
AVGL
Address Setup to OE#
Going Low
3,4,9
0
0
0
ns
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PDF描述 |
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