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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DA28F016SA-100 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 28F016SA 16-MBIT (1 MBIT X 16, 2 MBIT X 8)FlashFile MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 12V PROM, 100 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 23.70 X 16 MM, 1.80 MM HEIGHT, SSOP-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 58/63頁(yè) |
| 文件大小： | 635K |
| 代理商： | DA28F016SA-100 |
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28F016SV FlashFile MEMORY
E
58
5.12 Erase and Word/Byte Program Performance
(3,5)
V
CC
= 3.3V ± 0.3V, V
PP
= 5V ± 0.5V, T
A
= 0°C to +70°C
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(1)
Max
Units
Test Conditions
Page Buffer Byte Write Time
2,6,7
TBD
8.0
TBD
μs
Page Buffer Word Write Time
2,6,7
TBD
16.0
TBD
μs
t
WHRH
1A
t
WHRH
1B
t
WHRH
2
t
WHRH
3
Byte Program Time
2,7
TBD
29.0
TBD
μs
Word Program Time
2,7
TBD
35.0
TBD
μs
Block Program Time
2,7
TBD
1.9
TBD
sec
Byte Prog. Mode
Block Program Time
2,7
TBD
1.2
TBD
sec
Word Prog. Mode
Block Erase Time
2,7
TBD
1.4
TBD
sec
Full Chip Erase Time
2,7
TBD
44.8
TBD
sec
Erase Suspend Latency Time
to Read
4
1.0
12
75
μs
Auto Erase Suspend Latency
Time to Program
4.0
15
80
μs
V
CC
= 3.3V ± 0.3V, V
PP
= 12V ± 0.6V, T
A
= 0°C to +70°C
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(1)
Max
Units
Test Conditions
Page Buffer Byte Write Time
2,6,7
TBD
2.2
TBD
μs
Page Buffer Word Write Time
2,6,7
TBD
4.4
TBD
μs
t
WHRH
1
t
WHRH
2
t
WHRH
3
Word/Byte Program Time
2,7
5
9
TBD
μs
Block Program Time
2,7
TBD
0.6
2.1
sec
Byte Prog. Mode
Block Program Time
2,7
TBD
0.3
1.0
sec
Word Prog. Mode
Block Erase Time
2
0.3
0.8
10
sec
Full Chip Erase Time
2,7
TBD
25.6
TBD
sec
Erase Suspend Latency Time
to Read
4
1.0
9
55
μs
Auto Erase Suspend Latency
Time to Program
4.0
12
60
μs
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PDF描述 |
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