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參數資料
| 型號： | D850N |
| 英文描述： | SCR / Diode Presspacks |
| 中文描述： | SCR /二極管Presspacks |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | D850N |
0
D850N_2
1
2
3
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
30
60
90
120
150
180
D850N_3
10
3
i
FM
[A]
D850N_7
9
8
7
6
5
4
3
2
1
10
100
0,1
1600
800
400
200
100
50
T
Θ
Θ
T
10
4
0,02
0,01
[
μ
As]
Q
r
Z
(th)JC
[°C/W]
[°C/W]
thJC
R
-di
F
/dt
[A/
μ
s]
t [s]
Θ
[°el]
T
Θ
Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wrmewiderstnden
für Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bild / Fig. 6
Sperrverzgerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di
F
/dt)
t
vj =
t
vjmax
; v
R
≤
0,5 V
RRM
; V
RM
= 0,8 V
RRM
Beschaltung / Snubber: C = 1 μF; R = 3,9
Parameter: Durchlastrom / Forward current i
FM
n
max
n=1
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wrmewiderstand
Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
Z
thJC
= R
thn
(1-EXP(-t/
τ
n
))
D 850 N
Kühlg.
Cooling
Pos.
n
R
thn
°C/W
τ
n
[s]
R
thn
°C/W
τ
n
[s]
R
thn
°C/W
τ
n
[s]
1
2
3
1
2
3
4
5
6
7
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
0,00123
0,00152
0,00134
0,00159
0,00133
0,00159
0,00397
0,00932
0,00466
0,0113
0,00457
0,0111
0,0041
0,0708
0,0174
0,177
0,0165
0,169
0,0153
0,251
0,0376
6,25
0,0596
7,31
0,0104
1,79
Analytische Funktion / Analytical function
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D85C060-10 | UV-Erasable/OTP PLD |
| D85C060-12 | UV-Erasable/OTP PLD |
| D85C060-15 | UV-Erasable/OTP PLD |
| D85C060-25 | UV-Erasable/OTP PLD |
| P85C060-10 | UV-Erasable/OTP PLD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| D850N28T | 功能描述:整流器 RECTIFIER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| D850N29T | 制造商:n/a 功能描述:Diode |
| D850N30T | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Rectifier Diode 850A 3000V |
| D850N31T | 制造商:n/a 功能描述:Diode |
| D850N32T | 功能描述:整流器 RECTIFIER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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