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參數(shù)資料
| 型號： | D850N |
| 英文描述： | SCR / Diode Presspacks |
| 中文描述： | SCR /二極管Presspacks |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | D850N |
0
0,5
1,0
1,5
2,0
D850N_1
2,5
5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
D850N_4
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0
0,1
0,2
0,3
16
14
12
10
8
6
4
D850N_5
1a
1b
2a
1c
2b
2c
0
0,1
0,2
0,3
1a
2a
1b
1c
2b
2c
D850N_6
14
12
10
8
6
4
2
0
3,0
3,5
7
t
[m
s
]
p
8
9
10
[kA]
I
F(0V)M
I
F(0V)M
[kA]
(normiert)
i2dt
I
F(0V)M
v
R
I
F(0V)M
v
R
t [s]
v
F
[V]
t [s]
[kA]
i
F
Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i2t
∫
i2dt = f(t
p
)
t
vj
= 160 °C
t
vj
= 25 °C
Bild/Fig. 1
Grenzdurchlakennlinie
Limiting forward characteristic i
F
= f (v
F
)
Bild / Fig. 3
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A; t
vj
= t
C
= 25 °C
2 - I
FAV(vor)
= 850 A; t
C
= 100 °C; t
vj
= 160 °C
a - v
R
≤
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A; t
vj
= t
C
= 25 °C
2 - I
FAV(vor)
= 850 A; t
C
= 100 °C; t
vj
= 160 °C
a - v
R
≤
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
D 850 N
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D85C060-10 | UV-Erasable/OTP PLD |
| D85C060-12 | UV-Erasable/OTP PLD |
| D85C060-15 | UV-Erasable/OTP PLD |
| D85C060-25 | UV-Erasable/OTP PLD |
| P85C060-10 | UV-Erasable/OTP PLD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| D850N28T | 功能描述:整流器 RECTIFIER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| D850N29T | 制造商:n/a 功能描述:Diode |
| D850N30T | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Rectifier Diode 850A 3000V |
| D850N31T | 制造商:n/a 功能描述:Diode |
| D850N32T | 功能描述:整流器 RECTIFIER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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