參數(shù)資料
型號： D3SBA10
廠商： Electronics Industry Public Company Limited
英文描述： SILICON BRIDGE RECTIFIER
中文描述： 硅橋式整流器
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： D3SBA10
D3SBA10 ~ D3SBA80
SILICON BRIDGE RECTIFIER
PRV : 100 ~ 800 Volts
Io : 4.0 Amperes
FEATURES :
* High current capability
* High surge current capability
* High reliability
* Low reverse current
* Low forward voltage drop
* Ideal for printed circuit board
* Very good heat dissipation
* Pb / RoHS Free
MECHANICAL DATA :
* Case : Reliable low cost construction
utilizing molded plastic technique
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Terminals : Plated lead solderable per
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
* Polarity : Polarity symbols marked on case
* Mounting position : Any
* Weight : 4.28 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Dimensions in inches and (millimeters)
0.303 (7.7)
0.287 (7.3)
0.075 (1.9)
0.060 (1.5)
0.043 (1.1)
0.035 (0.9)
0
0
~
~
+
0.150 (3.8)
0.134 (3.4)
0.189 (4.8)
0.173 (4.4)
0
0
0.996 (25.3)
0.972 (24.7)
C3
0
0
0
0
0.032 (0.8)
0.043 (1.1)
0
0
0.114 (2.9)
0.098 (2.5)
SYMBOL
D3SBA
10
D3SBA
20
D3SBA
40
D3SBA
60
D3SBA
80
UNIT
Maximum Reverse Voltage
V
RM
100
200
400
600
800
V
Maximum Average Forward Current
4 (With heatsink, Tc = 108
°
C)
(50Hz Sine wave, R-load)
2.3 (Without heatsink, Ta = 25
°
C)
Maximum Peak Forward Surge Current
( 50 Hz, Half-cycle, Sinwave, Single Shot )
Current Squared Time at 1ms
≤
t < 10 ms, Tc=25
°
C
I
2
t
32
A
2
S
Maximum Forward Voltage per Diode at I
F
= 2.0 A.
V
F
1.05
V
Maximum DC Reverse Current, V
R
=V
RM
( Pulse measurement, Rating of per diode)
Maximum Thermal Resistance, Junction to case
R
θ
JC
R
θ
JA
T
J
5.5 (With heatsink)
°
C/W
Maximum Thermal Resistance, Junction to Ambient
30 (Without heatsink)
°
C/W
Operating Junction Temperature Range
150
°
C
Storage Temperature Range
T
STG
- 40 to + 150
°
C
Page 1 of 2
Rev.
02 : March 25, 2005
A
A
I
R
10
μ
A
RATING
I
F(AV)
I
FSM
80
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D3SBA40 SILICON BRIDGE RECTIFIER
D3SBA80 SILICON BRIDGE RECTIFIER
D3SB
D40U18R Spice Model
D40 DIAC (BIDIRECTIONAL DIODE THYRISTOR)|45V V(BO) MAX|50UA I(S)|DO-204AH
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
D3SBA20 功能描述:橋式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
D3SBA20-4100 功能描述:橋式整流器 VRM=200 IFSM=80 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
D3SBA20-7000 功能描述:橋式整流器 VRM=200 IFSM=80 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
D3SBA20-7100 功能描述:橋式整流器 VRM=200 IFSM=80 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
D3SBA40 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:RECTIFIER
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