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參數(shù)資料
| 型號： | D2282UK |
| 英文描述： | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(750W-6V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應管(750W-6V-1GHz,單端式)) |
| 中文描述： | 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場效應管（750瓦到6V - 1GHz的，單端）（鍍金多用的DMOS射頻硅場效應管（750瓦到6V - 1GHz的，單端式）） |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 18K |
| 代理商： | D2282UK |
LAB
SEME
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 7/96
D2282UK
Parameter
Drain–Source Breakdown
Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current
Gate Leakage Current
Gate Threshold Voltage*
Forward Transconductance*
Common Source Power Gain
Drain Efficiency
Load Mismatch Tolerance
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
40
1
1
5
1
0.18
8
40
10:1
12
10
1
V
GS
= 0
I
D
= 10mA
V
DS
= 12.5V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
I
D
= 10mA
V
DS
= 10V
P
O
= 750mW
V
DS
= 6V
f = 1GHz
V
DS
= 0V
f = 1MHz
V
DS
= 12.5V
f = 1MHz
V
DS
= 12.5V
f = 1MHz
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 0.2A
I
DQ
= 75mA
V
GS
= –5V
V
GS
= 0
V
GS
= 0
V
mA
μ
A
V
mhos
dB
%
—
pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
R
THj–case
Thermal Resistance Junction – Case
Max. 70°C / W
THERMAL DATA
* Pulse Test:
Pulse Duration = 300
μ
s , Duty Cycle
≤
2%
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
g
fs
G
PS
η
VSWR
C
iss
C
oss
C
rss
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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