參數(shù)資料
型號(hào)： D2225UK
英文描述： Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(5W-12.5V-1GHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(5W-12.5V-1GHz,推拉式))
中文描述： 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場效應(yīng)管（號(hào)5W - 12.5V - 1GHz的，推挽式）（鍍金多用的DMOS射頻硅場效應(yīng)管（號(hào)5W - 12.5V - 1GHz的，推拉式））
文件頁數(shù)： 2/2頁
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代理商： D2225UK
Parameter
Test Conditions
PER SIDE
Min.
Typ.
Max.
Unit
Drain–Source Breakdown
Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current
Gate Leakage Current
Gate Threshold Voltage*
Forward Transconductance*
Common Source Power Gain
Drain Efficiency
Load Mismatch Tolerance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
g
fs
G
PS
η
VSWR
C
iss
C
oss
C
rss
D2225UK
Prelim. 2/99
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website
http://www.semelab.co.uk
V
GS
= 0
I
D
= 10mA
V
DS
= 12.5V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
I
D
= 10mA
V
DS
= 10V
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 0.2A
P
O
= 5W
V
DS
= 12.5V
f = 1GHz
I
DQ
= 0.2A
V
DS
= 0V
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
V
GS
= –5V f = 1MHz
f = 1MHz
f = 1MHz
V
mA
μ
A
V
S
dB
%
—
pF
pF
pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
40
1
1
7
0.5
0.18
10
40
20:1
12
10
1
R
THj–case
Thermal Resistance Junction – Case
Max. 6°C / W
THERMAL DATA
* Pulse Test:
Pulse Duration = 300
μ
s , Duty Cycle
≤
2%
TOTAL DEVICE
PER SIDE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D2225 METAL GATE RF SILICON FET
D2225UK METAL GATE RF SILICON FET
D2228N SCR / Diode Presspacks
D2229UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(2.5W-12.5V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(2.5W-12.5V-1GHz,單端式))
D2229UK METAL GATE RF SILICON FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
D22288-000 制造商:TE Connectivity 功能描述:NT-5/8-0-SP-CS6361
D2228N 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCR / Diode Presspacks
D2228N02T 功能描述:整流器 200V 2.23A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
D2228N02T VF 功能描述:整流器 Rectifier Diode 200V 2230A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
D2228N03T 制造商:n/a 功能描述:Diode
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