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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | D2225UK |
| 英文描述： | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(5W-12.5V-1GHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(5W-12.5V-1GHz,推拉式)) |
| 中文描述： | 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管（號(hào)5W - 12.5V - 1GHz的，推挽式）（鍍金多用的DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管（號(hào)5W - 12.5V - 1GHz的，推拉式）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 14K |
| 代理商： | D2225UK |
D2225UK
Prelim. 2/99
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website
http://www.semelab.co.uk
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
Power Dissipation
Drain – Source Breakdown Voltage
Gate – Source Breakdown Voltage
Drain Current
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
17.5W
40V
±20V
4A
–65 to 150°C
200°C
MECHANICAL DATA
1
2
3
4
8
7
6
5
M
N
B
C
A
E
F
G
D
H
K
L
J
P
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
5W – 12.5V – 1GHz
PUSH–PULL
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
VERY LOW C
rss
SIMPLE BIAS CIRCUITS
LOW NOISE
HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM
SO8 PACKAGE
PIN 1 – SOURCE
PIN 2 – DRAIN 1
PIN 3 – DRAIN 2
PIN 4 – SOURCE
PIN 5 – SOURCE
PIN 6 – GATE 2
PIN 7 – GATE 1
PIN 8 – SOURCE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
APPLICATIONS
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1MHz to 1GHz
Dim.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
mm
4.06
5.08
1.27
0.51
3.56
4.06
1.65
Tol.
±0.08
±0.08
±0.08
±0.08
±0.08
±0.08
±0.08
+0.25
-0.00
Min.
Max.
Max.
Min.
Max.
±0.08
Max.
±0.08
Inches
0.160
0.200
0.050
0.020
0.140
0.160
0.065
Tol.
±0.003
±0.003
±0.003
±0.003
±0.003
±0.003
±0.003
+0.010
-0.000
Min.
Max.
Max.
Min.
Max.
±0.003
Max.
±0.003
0.76
0.030
0.51
1.02
45°
0°
7°
0.20
2.18
4.57
0.020
0.040
45°
0°
7°
0.008
0.086
0.180
METAL GATE RF SILICON FET
TetraFET
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D2225 | METAL GATE RF SILICON FET |
| D2225UK | METAL GATE RF SILICON FET |
| D2228N | SCR / Diode Presspacks |
| D2229UK | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(2.5W-12.5V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(2.5W-12.5V-1GHz,單端式)) |
| D2229UK | METAL GATE RF SILICON FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| D22288-000 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:NT-5/8-0-SP-CS6361 |
| D2228N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCR / Diode Presspacks |
| D2228N02T | 功能描述:整流器 200V 2.23A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| D2228N02T VF | 功能描述:整流器 Rectifier Diode 200V 2230A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| D2228N03T | 制造商:n/a 功能描述:Diode |
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