參數(shù)資料
型號: D2201N
英文描述: SCR / Diode Presspacks
中文描述: SCR /二極管Presspacks
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 275K
代理商: D2201N
N
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
Datenblatt / Data sheet
D 2201N
BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller
2/5
Seite/page
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
Anode / anode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
0,0112
0,01
0,0173
0,0241
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
max.
max.
0,003
0,006
140 °C
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
65DNN45
Anpresskraft
clamping force
F
27...45
kN
Gewicht
weight
G
typ.
850 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s2
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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PDF描述
D2201 METAL GATE RF SILICON FET
D2201UK METAL GATE RF SILICON FET
D2201UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(2.5W-12.5V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(2.5W-12.5V-1GHz,單端式))
D2029UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(2.5W-28V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(2.5W-28V-1GHz,單端式))
D2029UK METAL GATE RF SILICON FET
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參數(shù)描述
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D2201UK 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET
D2202 制造商:Dagnall Electronics 功能描述:TRANSFORMER 9VA 2 X 9V
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