- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄376513 > D2081UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(750mW-12V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(750mW-12V-1GHz,單端式)) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | D2081UK |
| 英文描述： | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(750mW-12V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(750mW-12V-1GHz,單端式)) |
| 中文描述： | 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管（750mW - 12V的- 1GHz的，單端）（鍍金多用的DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管（750mW - 12V的- 1GHz的，單端式）） |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 25K |
| 代理商： | D2081UK |
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 5/96
D2081UK
1
00
0
10
0
20
0
30
0
40
0
50
0
600
70
0
80
0
90
0
0
10
0
10
2
0
30
4
0
5
0
6
0
70
80
90
0
P
ow
er
Inpu
t
(
m
W
)
P
e
r
O
t
p
t
(
BIAS
C1
C2
T1
T2
C5
T3
L2
C7
C4
L1
R1
C3
C6
+12V
TYPICAL PERFORMANCE BFM21 at 1GHz
Bias Conditions V
d
= 12V, I
dq
= 75mA
C1, C7
C2, C5, C6
C3, C4
L1
L2
33pF ATC100B
1–8pF
1000pF NPO
0.1
μ
H
10mm of 1.6mm tcw (half turn)
T1
T2
T3
50
microstrip, 11mm long
50
microstrip, 15mm long
50
microstrip, 5mm long
BFM21UK 1GHz Test Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D2081UK | METAL GATE RF SILICON FET |
| D2082UK | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(40W-28V-1GHz)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(40W-28V-1GHz)) |
| D2082 | TetraFET 40W - 28V - 1.0GHz |
| D2082UK | TetraFET 40W - 28V - 1.0GHz |
| D2083UK | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(80W-28V-1.0GHz)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(80W-28V-1.0GHz)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| D2081UK.F | 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET |
| D2082 | 制造商:Dagnall Electronics 功能描述:TRANSFORMER 14VA 2 X 12V |
| D2082 | 制造商:Dagnall Electronics 功能描述:TRANSFORMER 14VA 2X 12V |
| D208200/500V | 制造商:Ashcroft Caps 功能描述:SILVER MICA CAP 8200PF |
| D2082UK | 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。