參數(shù)資料
型號： D1260UK
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： METAL GATE RF SILICON FET
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DT, 5 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 16K
代理商： D1260UK
Parameter
Drain–Source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current
Gate Leakage Current
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage *
g
fs
Forward Transconductance *
G
PS
Common Source Power Gain
η
Drain Efficiency
VSWR
Load Mismatch Tolerance
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
D1260UK
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 9/95
40
4
1
7
0.5
3.2
10
50
20:1
240
180
16
V
GS
= 0
I
D
= 100mA
V
DS
= 12.5V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
I
D
= 10mA
V
DS
= 10V
P
O
= 60W
V
DS
= 12.5V
f = 175MHz
V
DS
= 0
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 4A
I
DQ
= 0.4A
V
GS
= –5V f = 1MHz
f = 1MHz
f = 1MHz
V
mA
μ
A
V
S
dB
%
—
pF
pF
pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
HAZARDOUS MATERIAL WARNING
The ceramic portion of the device between leads and metal flange is beryllium oxide. Beryllium oxide dust is highly
toxic and care must be taken during handling and mounting to avoid damage to this area.
THESE DEVICES MUST NEVER BE THROWN AWAY WITH GENERAL INDUSTRIAL OR DOMESTIC WASTE.
R
THj–case
Thermal Resistance Junction – Case
Max. 1.0°C / W
THERMAL DATA
* Pulse Test:
Pulse Duration = 300
μ
s , Duty Cycle
≤
2%
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