參數(shù)資料
型號： D1260UK
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： METAL GATE RF SILICON FET
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DT, 5 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 16K
代理商： D1260UK
D1260UK
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 9/95
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
Power Dissipation
Drain – Source Breakdown Voltage
Gate – Source Breakdown Voltage
Drain Current
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
175W
40V
±20V
40A
–65 to 150°C
200°C
MECHANICAL DATA
B
C
A
D
(2 pls)
E
F
G
H
I
J
K
M
N
1
4
3
2
5
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
60W – 12.5V – 175MHz
SINGLE ENDED
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
LOW C
rss
SIMPLE BIAS CIRCUITS
LOW NOISE
HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM
DT
PIN 1
SOURCE (COMMON)
PIN 3
SOURCE (COMMON)
PIN 5
DRAIN
PIN 2
GATE
PIN 4
SOURCE (COMMON)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
APPLICATIONS
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 175 MHz
METAL GATE RF SILICON FET
TetraFET
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
mm
Tol.
0.13
0.13
0.25
0.13
0.13
MAX
0.38
0.13
0.13
0.03
0.13
0.13
0.25
Inches
0.250 DIA
0.125 DIA
0.725
0.215
0.205
0.300
0.850
0.155
0.500
0.005
0.975
0.102
0.160
Tol.
0.005
0.005
0.010
0.005
0.005
MAX
0.015
0.005
0.005
0.001
0.005
0.005
0.010
6.35 DIA
3.17 DIA
18.41
5.46
5.21
7.62
21.59
3.94
12.70
0.13
24.76
2.59
4.06
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