參數(shù)資料
型號(hào)： D1260UK
英文描述： Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(60W-12.5V-175MHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(10W-12.5V-175MHz,單端式))
中文描述： 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管（60瓦- 12.5V - 175MHz時(shí)，單端）（鍍金多用的DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管（功率10W - 12.5V - 175MHz時(shí)，單端式））
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 16K
代理商： D1260UK
D1260UK
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 9/95
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
Power Dissipation
Drain – Source Breakdown Voltage
Gate – Source Breakdown Voltage
Drain Current
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
175W
40V
±20V
40A
–65 to 150°C
200°C
MECHANICAL DATA
B
C
A
D
(2 pls)
E
F
G
H
I
J
K
M
N
1
4
3
2
5
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
60W – 12.5V – 175MHz
SINGLE ENDED
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
LOW C
rss
SIMPLE BIAS CIRCUITS
LOW NOISE
HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM
DT
PIN 1
SOURCE (COMMON)
PIN 3
SOURCE (COMMON)
PIN 5
DRAIN
PIN 2
GATE
PIN 4
SOURCE (COMMON)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
APPLICATIONS
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 175 MHz
METAL GATE RF SILICON FET
TetraFET
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
mm
Tol.
0.13
0.13
0.25
0.13
0.13
MAX
0.38
0.13
0.13
0.03
0.13
0.13
0.25
Inches
0.250 DIA
0.125 DIA
0.725
0.215
0.205
0.300
0.850
0.155
0.500
0.005
0.975
0.102
0.160
Tol.
0.005
0.005
0.010
0.005
0.005
MAX
0.015
0.005
0.005
0.001
0.005
0.005
0.010
6.35 DIA
3.17 DIA
18.41
5.46
5.21
7.62
21.59
3.94
12.70
0.13
24.76
2.59
4.06
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PDF描述
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D12643 功能描述:工業(yè)移動(dòng)感應(yīng)器和位置傳感器 RESISTIVE & OPTICAL RoHS:否 制造商:Honeywell 輸出類(lèi)型:Analog - Current 電壓額定值:12 VDC to 30 VDC 線(xiàn)性:+/- 0.0011 % 溫度范圍:- 40 C to + 85 C 總電阻: 容差: 類(lèi)型:Rotary Sensor
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