- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379102 > D121N SCR / Diode Presspacks PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | D121N |
| 英文描述： | SCR / Diode Presspacks |
| 中文描述： | SCR /二極管Presspacks |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | D121N |
D 121 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40°C... t
vj max
V
RRM
800, 1200, 1400
V
1800, 2000
V
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage t
vj
= +25°C... t
vj max
V
RSM
= V
RRM
+ 100
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
FRMSM
360
A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
c
= 130 °C
I
FAVM
120
A
t
c
= 46 °C
230
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
I
FSM
3,1
kA
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
2,6
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
I
2
t
48,1
kA
2
s
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
33,8
kA
2
s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 700 A
V
T
max. 2,14
V
Schleusenspannung
threshold voltage
t
vj
= t
vj max
V
T(TO)
0,72
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
t
vj
= t
vj max
r
T
1,9
m
Sperrstrom
reverse current
t
vj
= t
vj max
, V
R
= V
RRM
i
R
max. 20
mA
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Widerstand
thermal resistance, junction
Θ
= 180° sin
R
thJC
max. 0,324
°C/W
to case
DC
max. 0,310
°C/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink
R
thCK
max. 0,04
°C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
180
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+180
°C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+180
°C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
= 15 mm
Anzugsdrehmoment
tightening torque
Gehuseform/case design B
M1
20
Nm
Gewicht
weight
G
typ. 175
g
Kriechstrecke
creepage distance
12
mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s
2
Mabild
outline
Seite/page
Polaritt
polarity
Anode=Gehuse/case
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D1222UK | GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 60W - 12.5V - 175MHz PUSH-PULL |
| D124C | Fixed Inductors for Surface Mounting |
| D125AP | HEX MOSFET DRIVER|BIPOLAR|DIP|14PIN|CERAMIC |
| D125BP | HEX MOSFET DRIVER|BIPOLAR|DIP|14PIN|CERAMIC |
| D126CT | Fixed Inductors for Surface Mounting |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| D121N06B | 功能描述:整流器 800V 230A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| D121N08B | 功能描述:整流器 800V 230A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| D121N12B | 功能描述:整流器 1.2KV 230A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| D121N13B | 制造商:n/a 功能描述:Diode, Reverse Polarity |
| D121N14B | 功能描述:整流器 1.4KV 230A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。