參數(shù)資料
型號(hào)： D1213UK
廠商： SEMELAB LTD
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： METAL GATE RF SILICON FET
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： DBC1, 8 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 38K
代理商： D1213UK
D1213UK
Prelim. 7/99
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Parameter
Drain–Source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current
Gate Leakage Current
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage*
g
fs
Forward Transconductance*
G
PS
Common Source Power Gain
η
Drain Efficiency
VSWR
Load Mismatch Tolerance
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS
= 0
I
D
= 100mA
V
DS
= 12.5V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
I
D
= 10mA
V
DS
= 10V
P
O
= 6W
V
DS
= 7.2V
f = 500MHz
V
DS
= 0
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 2A
I
DQ
= 0.5A
V
GS
= –5V f = 1MHz
f = 1MHz
f = 1MHz
V
mA
μ
A
V
S
dB
%
—
pF
pF
pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
40
1
1
7
0.5
1.6
10
50
20:1
120
80
8
R
THj–case
Thermal Resistance Junction – Case
Max. 3°C / W
THERMAL DATA
* Pulse Test:
Pulse Duration = 300
μ
s , Duty Cycle
≤
2%
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PDF描述
D1217UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(40W-12.5V-500MHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(40W-12.5V-500MHz,推挽式))
D1217 METAL GATE RF SILICON FET
D1217UK METAL GATE RF SILICON FET
D1217U CASSETTE DETAILS
D1218UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(60W-12.5V-500MHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(60W-12.5V-500MHz,推挽式))
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D121515NS-1W 制造商:MORNSUN 制造商全稱(chēng):MORNSUN 功能描述:TWIN OUTPUT DC-DC CONVERTER
D121515NXT-1W 制造商:MICRODC 制造商全稱(chēng):MICRODC 功能描述:1W,FIXED INPUT, ISOLATED & UNREGULATED TWIN OUTPUT ULTRAMINIATURE SMD PACKAGE DC-DC CONVERTER
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