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參數(shù)資料
| 型號： | D1212UK |
| 英文描述： | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(100W-12.5V-500MHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(100W-12.5V-500MHz,推挽式)) |
| 中文描述： | 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場效應(yīng)管（100W至12.5V - 500MHz的，推挽式）（鍍金多用的DMOS射頻硅場效應(yīng)管（100W至12.5V - 500MHz的，推挽式）） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 16K |
| 代理商： | D1212UK |
D1212UK
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 1/96
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
Power Dissipation
Drain – Source Breakdown Voltage *
Gate – Source Breakdown Voltage *
Drain Current
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
290W
40V
±20V
30A
–65 to 150°C
200°C
MECHANICAL DATA
A
M
K
J
I
H
G
(typ)
F
E
D
C
B
(4 pls)
N
1
5
4
3
2
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
100W – 12.5V – 500MHz
PUSH–PULL
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
LOW C
rss
SIMPLE BIAS CIRCUITS
LOW NOISE
HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM
DH
PIN 1
SOURCE (COMMON)
PIN 2
DRAIN 1
PIN 3
DRAIN 2
PIN 4
GATE 2
PIN 5
GATE 1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
APPLICATIONS
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 500 MHz
METAL GATE RF SILICON FET
TetraFET
* Per Side
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
mm
13.97
5.72
45°
9.78
1.65R
23.75
1.52R
30.48
19.17
0.13
2.54
1.52
5.08
Tol.
0.26
0.13
5°
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.26
0.02
0.13
0.13
0.50
Inches
0.550
0.225
45°
0.385
0.065R
0.935
0.060R
1.200
0.755
0.005
0.100
0.060
0.200
Tol.
0.010
0.005
5°
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.010
0.001
0.005
0.005
0.020
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D1212UK | METAL GATE RF SILICON FET |
| D1213UK | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(6W-7.2V-500MHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(6W-7.2V-500MHz,單端式)) |
| D1213 | METAL GATE RF SILICON FET |
| D1213UK | METAL GATE RF SILICON FET |
| D1217UK | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(40W-12.5V-500MHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(40W-12.5V-500MHz,推挽式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| D1213 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:METAL GATE RF SILICON FET |
| D12135 | 功能描述:工業(yè)移動感應(yīng)器和位置傳感器 RESISTIVE & OPTICAL RoHS:否 制造商:Honeywell 輸出類型:Analog - Current 電壓額定值:12 VDC to 30 VDC 線性:+/- 0.0011 % 溫度范圍:- 40 C to + 85 C 總電阻: 容差: 類型:Rotary Sensor |
| D12136 | 功能描述:工業(yè)移動感應(yīng)器和位置傳感器 RESISTIVE & OPTICAL RoHS:否 制造商:Honeywell 輸出類型:Analog - Current 電壓額定值:12 VDC to 30 VDC 線性:+/- 0.0011 % 溫度范圍:- 40 C to + 85 C 總電阻: 容差: 類型:Rotary Sensor |
| D12137 | 功能描述:工業(yè)移動感應(yīng)器和位置傳感器 RESISTIVE & OPTICAL RoHS:否 制造商:Honeywell 輸出類型:Analog - Current 電壓額定值:12 VDC to 30 VDC 線性:+/- 0.0011 % 溫度范圍:- 40 C to + 85 C 總電阻: 容差: 類型:Rotary Sensor |
| D12138 | 功能描述:工業(yè)移動感應(yīng)器和位置傳感器 RESISTIVE & OPTICAL RoHS:否 制造商:Honeywell 輸出類型:Analog - Current 電壓額定值:12 VDC to 30 VDC 線性:+/- 0.0011 % 溫度范圍:- 40 C to + 85 C 總電阻: 容差: 類型:Rotary Sensor |
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