參數(shù)資料
型號(hào)： D1209UK
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： METAL GATE RF SILICON FET
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DK, 5 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 16K
代理商： D1209UK
D1209UK
6/99
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Parameter
Test Conditions
PER SIDE
Min.
Typ.
Max.
Unit
40
1
1
7
1
0.8
10
50
20:1
60
40
4
V
GS
= 0
I
D
= 10mA
V
DS
= 12.5V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
I
D
= 10mA
V
DS
= 10V
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 1A
P
O
= 20W
V
DS
= 12.5V
f = 400MHz
I
DQ
= 0.8A
V
DS
= 0
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
V
GS
= –5V f = 1MHz
f = 1MHz
f = 1MHz
V
mA
m
A
V
S
dB
%
—
pF
pF
pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
Drain–Source Breakdown
Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current
Gate Leakage Current
Gate Threshold Voltage*
Forward Transconductance*
Common Source Power Gain
Drain Efficiency
Load Mismatch Tolerance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
HAZARDOUS MATERIAL WARNING
The ceramic portion of the device between leads and metal flange is beryllium oxide. Beryllium oxide dust is highly
toxic and care must be taken during handling and mounting to avoid damage to this area.
THESE DEVICES MUST NEVER BE THROWN AWAY WITH GENERAL INDUSTRIAL OR DOMESTIC WASTE.
R
THj–case
Thermal Resistance Junction – Case
Max. 1.75°C / W
THERMAL DATA
* Pulse Test:
Pulse Duration = 300
m
s , Duty Cycle
￡
2%
TOTAL DEVICE
PER SIDE
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
g
fs
G
PS
h
VSWR
C
iss
C
oss
C
rss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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