參數(shù)資料
型號： D1204UK
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： METAL GATE RF SILICON FET
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DT, 6 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 14K
代理商： D1204UK
D1204UK
Prelim. 1/99
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website
http://www.semelab.co.uk
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
Power Dissipation
Drain – Source Breakdown Voltage
Gate – Source Breakdown Voltage
Drain Current
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
117W
40V
±20V
15A
–65 to 150°C
200°C
MECHANICAL DATA
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
30W – 12.5V – 500MHz
SINGLE ENDED
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
LOW C
rss
USEFUL P
O
AT 1GHz
LOW NOISE
HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
APPLICATIONS
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 1 GHz
METAL GATE RF SILICON FET
TetraFET
B
C
A
D
(2 pls)
E
F
G
H
I
J
K
M
N
1
4
3
2
5
DT
PIN 1
SOURCE (COMMON)
PIN 3
SOURCE (COMMON)
PIN 5
DRAIN
PIN 2
GATE
PIN 4
SOURCE (COMMON)
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
mm
Tol.
0.13
0.13
0.25
0.13
0.13
MAX
0.38
0.13
0.13
0.03
0.13
0.13
0.25
Inches
0.250 DIA
0.125 DIA
0.725
0.215
0.205
0.300
0.850
0.155
0.500
0.005
0.975
0.102
0.160
Tol.
0.005
0.005
0.010
0.005
0.005
MAX
0.015
0.005
0.005
0.001
0.005
0.005
0.010
6.35 DIA
3.17 DIA
18.41
5.46
5.21
7.62
21.59
3.94
12.70
0.13
24.76
2.59
4.06
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D1207UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(20W-12.5V-1GHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(20W-12.5V-1GHz,推挽式))
D1207 METAL GATE RF SILICON FET
D1207UK METAL GATE RF SILICON FET
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