參數(shù)資料
型號： D1011
廠商： TT electronics Semelab Limited
英文描述： METAL GATE RF SILICON FET
中文描述： 金屬門射頻硅場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 16K
代理商： D1011
D1011UK
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 1/96
Parameter
Drain–Source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current
Gate Leakage Current
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage*
g
fs
Forward Transconductance*
G
PS
Common Source Power Gain
η
Drain Efficiency
VSWR
Load Mismatch Tolerance
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0
I
D
= 100mA
V
DS
= 28V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
I
D
= 10mA
V
DS
= 10V
P
O
= 10W
V
DS
= 28V
f = 1GHz
V
DS
= 0V
V
DS
= 28V
V
DS
= 28V
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 1A
I
DQ
= 0.1A
V
GS
= –5V f = 1MHz
V
GS
= 0
V
GS
= 0
f = 1MHz
f = 1MHz
V
mA
μ
A
V
S
dB
%
—
pF
pF
pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
70
1
1
7
1
0.8
13
50
20:1
60
30
2.5
R
THj–case
Thermal Resistance Junction – Case
Max. 6°C / W
THERMAL DATA
* Pulse Test:
Pulse Duration = 300
μ
s , Duty Cycle
≤
2%
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PDF描述
D1011UK METAL GATE RF SILICON FET
D1012UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(100W-28V-500MHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(100W-28V-500MHz,推挽式))
D1012UK METAL GATE RF SILICON FET
D1013UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(20W-28V-500MHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(20W-28V-500MHz,推挽式))
D1013UK METAL GATE RF SILICON FET
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參數(shù)描述
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D1011UK 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET
D-101-20 制造商:TE Connectivity 功能描述:9-1194898-8 620074-000
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