參數(shù)資料
型號： D1004UK
英文描述： Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(80W-28V-175MHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應管(80W-28V-175MHz,單端))
中文描述： 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場效應管（80瓦- 28V的- 175MHz時，單端）（鍍金多用的DMOS射頻硅場效應管（80瓦- 28V的- 175MHz時，單端））
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 35K
代理商： D1004UK
D1004UK
Prelim. 6/99
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
20
30
40
50
60
70
80
%
Efficiency
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Pin W
Pout
Drain Efficiency
0
25
50
75
100
125
150
Pout
W
10
12
14
16
18
20
22
Gain
dB
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Pin W
Pout
Gain
0
25
50
75
100
125
150
Pout
W
Figure 1 – Power Output and Efficiency
vs. Power Input.
Figure 2 – Power Output & Gain
vs. Power Input.
10
-45
-40
-35
-30
-25
-20
IMD
dBc
20
30
40
50
60
70
80
90
Pout W PEP
IMD3
Figure 3 – IMD vs. Output Power.
D1004UK
OPTIMUM SOURCE AND LOAD IMPEDANCE
Frequency
MHz
175MHz
Z
S
Z
L
2.2 + j1.9 3.2 - j0.5
V
DS
= 28V
I
DQ
= 0.4A
f = 175MHz
V
DS
= 28V
f
1
= 175.0MHz
f
2
= 175.1MHz
I
DQ
= 0.4A
V
DS
= 28V
I
DQ
= 0.4A
f = 175MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D1004 METAL GATE RF SILICON FET
D1004UK METAL GATE RF SILICON FET
D1005UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(80W-28V-175MHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應管(80W-28V-175MHz,單端))
D1005 METAL GATE RF SILICON FET
D1005UK METAL GATE RF SILICON FET
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參數(shù)描述
D100-4X 功能描述:通用繼電器 WILMAR CLOSE DIFF RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點形式:1 Form A (SPST-NO) 觸點電流額定值:150 A 線圈電壓:24 VDC 線圈電阻:144 Ohms 線圈電流:167 mA 切換電壓:400 V 安裝風格:Chassis 觸點材料:
D1005 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:METAL GATE RF SILICON FET
D-100-5 制造商:Quest Technology International Inc 功能描述:
D10050 功能描述:工業(yè)移動感應器和位置傳感器 RESISTIVE & OPTICAL RoHS:否 制造商:Honeywell 輸出類型:Analog - Current 電壓額定值:12 VDC to 30 VDC 線性:+/- 0.0011 % 溫度范圍:- 40 C to + 85 C 總電阻: 容差: 類型:Rotary Sensor
D10055 制造商:PIASECKI AIRCRAFT CORP 功能描述:
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