DFE201612P-R33M=P2

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型號
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數(shù)量
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封裝
批號
價格
說明
操作

DFE201612P-R33M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

DFE201612P-R33M=P2
深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司
深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司
聯(lián)系人：金
電話：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
12885
TOKO
N/A
18+
-
進口原裝特價出售

DFE201612P-R33M=P2
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
3000
MURATA
主營優(yōu)勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

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功能描述
330nH Shielded Wirewound Inductor 5.6A 28 mOhm Max 0806 (2016 Metric)
制造商
murata electronics north america
系列
DFE201612P
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
330nH
容差
±20%
額定電流
5.6A
電流 - 飽和值
-
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
28 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 125°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
0806（2016 公制）
大小/尺寸
0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.039"（1.00mm）
標準包裝
1

DFE201612P-R33M=P2 技術(shù)參數(shù)

DFE201612P-R24M=P2 功能描述:240nH Shielded Wirewound Inductor 6.5A 23 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:240nH 容差:±20% 額定電流:6.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:23 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE201612P-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 144 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:2.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:144 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE201612P-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 95 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2.7A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:95 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE201612P-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.3A 54 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1μH 容差:±20% 額定電流:3.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:54 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE201612E-1R0M=P2 功能描述:FIXED IND 1UH 2.9A 48 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612E 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:繞線材料 - 磁芯:金屬電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.9A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:48 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）供應商器件封裝:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 DFE252008C-4R7M=P2 DFE252008C-R47M=P2 DFE252010F-100M=P2 DFE252010F-1R0M=P2 DFE252010F-1R5M=P2 DFE252010F-2R2M=P2 DFE252010F-3R3M=P2 DFE252010F-4R7M=P2 DFE252010F-6R8M=P2 DFE252010F-8R2M=P2 DFE252010F-R33M=P2 DFE252010F-R47M=P2 DFE252010F-R68M=P2 DFE252010F-R82M=P2 DFE252010P-1R0M=P2 DFE252010P-1R2M=P2 DFE252010P-1R5M=P2 DFE252010P-2R2M=P2