參數(shù)資料
型號： CYD18S72V-133BBC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM
中文描述： 256K X 72 DUAL-PORT SRAM, 5 ns, PBGA484
封裝： 23 X 23 MM, 1 MM, ROHS COMPLIANT, MO-192, FBGA-484
文件頁數(shù)： 10/26頁
文件大?。?/td> 470K
代理商： CYD18S72V-133BBC
PRELIMINARY
CYD04S72V
CYD09S72V
CYD18S72V
Document #: 38-06069 Rev. *D
Page 10 of 26
Table 4. Identification Register Definitions
Instruction Field
Revision Number(31:28)
Cypress Device(27:12)
Value
0h
C002h
Description
Reserved for version number
Defines Cypress DIE number for CYD18S72V and
CYD09S72V.
Defines Cypress DIE number for CYD04S72V
Allows unique identification of FLEx72 family device vendor
Indicates the presence of an ID register
C001h
034h
1
Cypress JDEC ID(11:1)
ID Register Presence (0)
Table 5. Scan Registers Sizes
Register Name
Instruction
Bypass
Identification
Boundary Scan
Bit Size
4
1
32
n
[20]
Table 6. Instruction Identification Codes
Instruction
EXTEST
BYPASS
IDCODE
HIGHZ
CLAMP
SAMPLE/PRELOAD
NBSRST
RESERVED
Code
Description
0000
1111
1011
0111
0100
1000
1100
All other codes
Captures the Input/Output ring contents. Places the BSR between the TDI and TDO.
Places the BYR between TDI and TDO.
Loads the IDR with the vendor ID code and places the register between TDI and TDO.
Places BYR between TDI and TDO. Forces all FLEx72 output drivers to a High-Z state.
Controls boundary to 1/0. Places BYR between TDI and TDO.
Captures the input/output ring contents. Places BSR between TDI and TDO.
Resets the non-boundary scan logic. Places BYR between TDI and TDO.
Other combinations are reserved. Do not use other than the above.
Note:
20. See details in the device BSDL files
TDO
D2
TDI
TDO
D1
TDI
TDO
D4
TDI
TDO
D3
TDI
TDO
TDI
TDO
D2
TDI
TDO
D1
TDI
TDI
TDO
Figure 3. Scan Chain
18 Mbit
4 Mbit/9 Mbit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CYD18S36V FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36 Synchronous Dual-Port RAM(FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36同步雙端口RAM)
CYD02S36V FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36 Synchronous Dual-Port RAM(FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36同步雙端口RAM)
CYD04S36V FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36 Synchronous Dual-Port RAM(FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36同步雙端口RAM)
CYD09S36V FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36 Synchronous Dual-Port RAM(FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36同步雙端口RAM)
CYD18S72V18 FullFlex Synchronous SDR Dual-Port SRAM(FullFlex同步SDR雙端口SRAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CYD18S72V-133BBI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M (256Kx72) 3.3v 133MHz Synch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYD18S72V-133BBXC 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:FLEx72⑩ 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM
CYD18S72V18-167BBXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 256LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CYD18S72V18-167BBXI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 256LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CYD18S72V18-167BGC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18MB (256Kx72) 1.8v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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