參數資料
型號： CYD09S72V-167BBC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM
中文描述： 128K X 72 DUAL-PORT SRAM, 4 ns, PBGA484
封裝： 23 X 23 MM, 1.60 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, MO-192, FBGA-484
文件頁數： 26/26頁
文件大?。?/td> 470K
代理商： CYD09S72V-167BBC
PRELIMINARY
CYD04S72V
CYD09S72V
CYD18S72V
Document #: 38-06069 Rev. *D
Page 26 of 26
Document History Page
Document Title: FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM
Document Number: 38-06069
Issue
Date
Change
**
125859
06/17/03
SPN
*A
128707
08/01/03
SPN
REV.
ECN NO.
Orig. of
Description of Change
New Data Sheet
Added -133 speed bin
Updated spec values for I
CC,
t
HA,
t
HB,
t
HW,
t
HD
Added new parameter I
CC1
Added bank select read and read to write to read (OE=low) timing diagrams
Updated spec values for t
OE,
t
OHZ,
t
CH2,
t
CL2,
t
HA,
t
HB,
t
HW,
t
HD,
I
CC,
I
SB5,
t
SA,
t
SB,
t
SW,
t
SD,
t
CD2
Updated read to write (OE=low) timing diagram
Updated Master Reset values for t
RS,
t
RSR,
t
RSF
Updated pinout
Updated V
CORE
voltage range
Updated Package Diagram
Updated t
CD2
value on first page
Removed Preliminary Status
Added 4M and 9M x72 devices into the datasheet with updated pinout, pin
description table, power table, and timing table.
Changed the title and Added back Preliminary status to reflect the addition
of 4M and 9M devices.
Removed FLEX72-E word from the document.
Added counter related functions for 4M and 9M.
Removed standard JTAG description.
Updated block diagram.
Updated pinout with FTSEL and one more PORTSTD pins per port.
Updated tRSF of CYD18S72V value.
*B
128997
09/18/03
SPN
*C
129936
09/30/03
SPN
*D
233830
See ECN
WWZ
相關PDF資料
PDF描述
CYD18S72V-100BBC FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM
CYD18S72V-100BBI FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM
CYD18S72V-133BBC FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM
CYD18S36V FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36 Synchronous Dual-Port RAM(FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36同步雙端口RAM)
CYD02S36V FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36 Synchronous Dual-Port RAM(FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36同步雙端口RAM)
相關代理商/技術參數
參數描述
CYD09S72V18-167BBXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 9216K (128Kx72) 1.8v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYD09S72V18-167BBXI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 167MHZ 256LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CYD09S72V18-167BGXC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CYD09S72V18-167BGXI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CYD09S72V18-200BBXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 FullFlex72 9MSync DP 128Kx72, 90nm, SDR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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