參數(shù)資料
型號： CY7C1527V18-300BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 8M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 15/28頁
文件大?。?/td> 457K
代理商： CY7C1527V18-300BZC
CY7C1516V18
CY7C1527V18
CY7C1518V18
CY7C1520V18
Document #: 38-05563 Rev. *D
Page 15 of 28
TAP Controller Block Diagram
TAP Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[16, 18, 11]
Parameter
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
V
IH
V
IL
I
X
Description
Test Conditions
I
OH
=
2.0 mA
I
OH
=
100
μ
A
I
OL
= 2.0 mA
I
OL
= 100
μ
A
Min.
1.4
1.6
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
μ
A
Output HIGH Voltage
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
Input and OutputLoad Current
0.4
0.2
0.65 V
DD
–0.3
5
V
DD
+ 0.3
0.35 V
DD
5
GND
≤
V
I
≤
V
DD
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
[12, 13]
Parameter
t
TCYC
t
TF
t
TH
t
TL
Notes:
11. These characteristics pertain to the TAP inputs (TMS, TCK, TDI and TDO). Parallel load levels are specified in the Electrical Characteristics Table.
12.t
and t
refer to the set-up and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
13.Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. t
R
/t
F
= 1 ns.
Description
Min.
50
Max.
Unit
ns
MHz
ns
ns
TCK Clock Cycle Time
TCK Clock Frequency
TCK Clock HIGH
TCK Clock LOW
20
20
20
0
0
1
2
.
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
.
.
.
106
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1527V18-300BZI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1527V18-300BZXC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1527V18-300BZXI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C171A 4K x 4 Static RAM with Separate I/O(帶獨(dú)立的輸入/輸出口的4K x 4靜態(tài) RAM)
CY7C172A 4K x 4 Static RAM with Separate I/O(帶獨(dú)立的輸入/輸出口的4K x 4靜態(tài) RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1543KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1543KV18-400BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1543KV18-450BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4Mb x 18 450 MHz RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1543KV18-450BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 72MB (8Mx9) 1.8v 450MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1543V18-333BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 72M Q2+ B4 (2.0) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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