參數(shù)資料
型號: CY7C1525V18-250BZI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述: 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù): 3/27頁
文件大?。?/td> 458K
代理商: CY7C1525V18-250BZI
CY7C1510V18
CY7C1525V18
CY7C1512V18
CY7C1514V18
Document #: 38-05489 Rev. *D
Page 3 of 27
Logic Block Diagram (CY7C1512V18)
CLK
Gen.
A
(20:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[17:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[1:0]
Q
[17:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
18
21
18
36
18
V
REF
W
18
A
(20:0)
21
C
C
18
2
2
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
18
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1514V18)
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[35:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[3:0]
Q
[35:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
36
20
36
72
36
V
REF
W
36
A
(19:0)
20
C
C
36
1
1
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
36
DOFF
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1525V18-250BZXC 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1525V18-250BZXI 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1525V18-278BZC 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1525V18-278BZI 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1525V18-278BZXC 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1525V18-250BZXC 功能描述:IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1526K 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:FOR REG PURPOSE ONLY - Trays
CY7C1526KV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (8Mx9) 1.8v 300MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1543KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1543KV18-400BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray