參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1525V18-250BZI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述: 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 23/27頁(yè)
文件大?。?/td> 458K
代理商: CY7C1525V18-250BZI
CY7C1510V18
CY7C1525V18
CY7C1512V18
CY7C1514V18
Document #: 38-05489 Rev. *D
Page 23 of 27
Switching Waveforms
[29, 30, 31]
Read/Write/Deselect Sequence
Notes:
29.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e, A0+1.
30.Output are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
31.In this example, if address A2 = A1,then data Q20 = D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole
diagram
K
1
2
3
4
5
8
10
6
7
K
RPS
WPS
A
D
READ
READ
WRITE
WRITE
WRITE
NOP
READ
WRITE
NOP
9
A0
tKH
tKHKH
tKL
tCYC
t
tHC
tSAtHA
tSD
tHD
SC
tSAtHA
tSD
tHD
A6
A5
A3
A4
A1
A2
D30
D50
D51
D61
D31
D11
D10
D60
Q
C
C
DON’T CARE
UNDEFINED
t
CQ
CQ
tKHCH
tCO
tKHCH
tCLZ
CHZ
tKH
tKL
Q00
Q01
Q20
tKHKH
tCYC
Q21
Q40
Q41
tCQD
tDOH
tCCQO
tCQOH
tCCQO
tCQOH
tCQDOH
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1525V18-250BZXC 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1525V18-250BZXI 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1525V18-278BZC 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1525V18-278BZI 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1525V18-278BZXC 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
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參數(shù)描述
CY7C1525V18-250BZXC 功能描述:IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1526K 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:FOR REG PURPOSE ONLY - Trays
CY7C1526KV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (8Mx9) 1.8v 300MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1543KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1543KV18-400BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray