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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1524AV18-300BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 3/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1133K |
| 代理商： | CY7C1524AV18-300BZXI |
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PRELIMINARY
CY7C1522AV18
CY7C1529AV18
CY7C1523AV18
CY7C1524AV18
Document #: 001-06981 Rev. *B
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Selection Guide
300 MHz
300
900
278 MHz
278
860
250 MHz
250
800
200 MHz
200
700
167 MHz
167
650
Unit
MHz
mA
Maximum Operating Frequency
Maximum Operating Current
Logic Block Diagram (CY7C1523AV18)
2M x 18
Memory
Array
CLK
Gen.
A
(20:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[17:0]
R
Read Data Reg.
LD
BWS
0
BWS
1
Q
[17:0]
Control
Logic
Reg.
Reg.
Reg.
18
18
36
Write
Data Reg
18
V
REF
W
Write
Data Reg
2M x 18
Memory
Array
18
18
21
18
C
C
R/W
LD
R/W
CQ
CQ
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1524AV18)
D
[35:0]
1M x 36
Memory
Array
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
LD
BWS
[3:0]
Q
[35:0]
Control
Logic
Reg.
Reg.
Reg.
36
36
72
Write
Data Reg
36
V
REF
W
Write
Data Reg
1M x 36
Memory
Array
36
36
20
36
C
C
R/W
LD
R/W
CQ
CQ
DOFF
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1523V18 | RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
| CY7C1392BV18 | RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
| CY7C1393BV18 | RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
| CY7C1394BV18 | RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
| CY7C1411AV18 | RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1525JV18250BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1525JV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機存取存儲器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1525JV18-250BZCES | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1525JV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機存取存儲器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1525KV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (8Mx9) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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