參數(shù)資料
型號: CY7C1518V18
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
中文描述: RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR-二勘誤表
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 217K
代理商: CY7C1518V18
Document #: 001-06217 Rev. *C
Page 7 of 8
References
All 90nm QDRI/DDRI/QDRII/DDRII datasheets:-
Table 5. List of Datasheet spec# for the Affected devices
Spec#
38-05628
38-05632
001-00350
38-05621
38-05622
38-05623
38-05631
38-05630
38-05627
38-05629
38-05626
38-05619
38-05620
38-05615
Part#
Density
9-MBIT
9-MBIT
9-MBIT
18-MBIT
18-MBIT
18-MBIT
18-MBIT
18-MBIT
18-MBIT
18-MBIT
18-MBIT
18-MBIT
18-MBIT
36-MBIT
Architecture
CY7C1304DV25
CY7C1308DV25
CY7C1292DV18/1294DV18
CY7C1316BV18/1916BV18/1318BV18/1320BV18
CY7C1317BV18/1917BV18/1319BV18/1321BV18
CY7C1392BV18/1393BV18/1394BV18
CY7C1323BV25
CY7C1305BV25/1307BV25
CY7C1303BV25/1306BV25
CY7C1305BV18/1307BV18
CY7C1303BV18/1306BV18
CY7C1310BV18/1910BV18/1312BV18/1314BV18
CY7C1311BV18/1911BV18/1313BV18/1315BV18
CY7C1410AV18/1425AV18/1412AV18/
1414AV18
CY7C1411AV18/1426AV18/1413AV18/
1415AV18
CY7C1416AV18/1427AV18/1418AV18/1420AV18
CY7C1417AV18/1428AV18/1419AV18/1421AV18
CY7C1422AV18/1429AV18/1423AV18/1424AV18
CY7C1510V18/1525V18/1512V18/1514V18
CY7C1511V18/1526V18/1513V18/1515V18
CY7C1516V18/1527V18/1518V18/1520V18
CY7C1517V18/1528V18/1519V18/1521V18
CY7C1522V18/1529V18/1523V18/1524V18
QDR(TM) SRAM 4-WORD BURST
DDR-I SRAM 4-WORD BURST
QDR- II(TM) SRAM 2-WORD BURST
DDR-II SRAM 2-WORD BURST
DDR-II SRAM 4-WORD BURST
DDR-II SIO SRAM 2-WORD BURST
DDR-I SRAM 4-WORD BURST
QDR(TM) SRAM 4-WORD BURST
QDR(TM) SRAM 2-WORD BURST
QDR(TM) SRAM 4-WORD BURST
QDR(TM) SRAM 2-WORD BURST
QDR - II (TM) SRAM 2-WORD BURST
QDR - II SRAM 4-WORD BURST
QDR-II(TM) SRAM 2-WORD BURST
38-05614
36-MBIT
QDR(TM)-II SRAM 4-WORD BURST
38-05616
38-05618
38-05617
38-05489
38-05363
38-05563
38-05565
38-05564
36-MBIT
36-MBIT
36-MBIT
72-MBIT
72-MBIT
72-MBIT
72-MBIT
72-MBIT
DDR-II SRAM 2-WORD BURST
DDR-II SRAM 4-WORD BURST
DDR-II SIO SRAM 2-WORD BURST
QDR-II SRAM 2-WORD BURST
QDR(TM)-II SRAM 4-WORD BURST
DDR-II SRAM 2-WORD BURST
DDR-II SRAM 4-WORD BURST
DDR-II SIO SRAM 2-WORD BURST
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1519V18 RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
CY7C1520V18 RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
CY7C1521V18 RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
CY7C1522V18 RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
CY7C1524V18 RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1518V18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1518V18-167BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 72MBIT 4MX18 0.5NS 165FBGA - Bulk
CY7C1518V18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1518V18-200BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 72MBIT 4MX18 0.45NS 165FBGA - Bulk
CY7C1518V18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray