參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1518V18-300BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 21/28頁(yè)
文件大?。?/td> 457K
代理商： CY7C1518V18-300BZXI
CY7C1516V18
CY7C1527V18
CY7C1518V18
CY7C1520V18
Document #: 38-05563 Rev. *D
Page 21 of 28
Capacitance
[22]
Parameter
Description
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 1.8V
V
DDQ
= 1.5V
Max.
5.5
8.5
8
Unit
pF
pF
pF
C
IN
C
CLK
C
O
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Output Capacitance
Thermal Resistance
[22]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
FBGA
16.2
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test conditions follow standard test methods and
procedures for measuring thermal impedance,
per EIA/JESD51.
Θ
JC
2.3
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
1.25V
0.25V
R = 50
5 pF
ALL INPUT PULSES
Device
Under
Test
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
REF
= 0.75V
V
REF
= 0.75V
[23]
0.75V
0.75V
Device
Under
Test
OUTPUT
0.75V
V
REF
V
REF
OUTPUT
ZQ
ZQ
(a)
Slew Rate = 2 V/ns
RQ =
250
(b)
RQ =
250
Notes:
22.Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
23.Unless otherwise noted, test conditions assume signal transition time of 2V/ns, timing reference levels of 0.75V, V
= 0.75V, RQ = 250
, V
DDQ
= 1.5V, input
pulse levels of 0.25V to 1.25V, and output loading of the specified I
OL
/I
OH
and load capacitance shown in (a) of AC Test Loads.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1520V18-167BZC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1520V18-167BZI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1527V18-200BZXI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1527V18-250BZC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1527V18-250BZI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1518XC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1518YC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1518ZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1520AV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M x 36 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1520AV18-200BZCT 功能描述:IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*