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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1518V18-278BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 5/28頁 |
| 文件大小： | 457K |
| 代理商： | CY7C1518V18-278BZXI |
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CY7C1516V18
CY7C1527V18
CY7C1518V18
CY7C1520V18
Document #: 38-05563 Rev. *D
Page 5 of 28
Pin Configurations
[1]
(continued)
CY7C1518V18 (4M x 18)
2
A
3
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DQ9
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TDO
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REF
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0
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TDI
TMS
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/144M
DQ27
NC
DQ29
BWS
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DQ18
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TDO
NC
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CQ
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REF
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DDQ
NC
NC
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NC
NC
NC
DQ4
DQ1
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TDI
TMS
A
CY7C1520V18 (2M x 36)
165-ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout
[+] Feedback
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1518V18-300BZC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518V18-300BZI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518V18-300BZXC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518V18-300BZXI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1520V18-167BZC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1518XC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1518YC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1518ZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1520AV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M x 36 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1520AV18-200BZCT | 功能描述:IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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