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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1518AV18-250BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 24/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1133K |
| 代理商： | CY7C1518AV18-250BZXI |
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PRELIMINARY
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
Document #: 001-06982 Rev. *B
Page 24 of 28
Switching Waveforms
[29, 30, 31]
Notes:
29.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0+1.
30.Outputs are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
31.In this example, if address A2 = A1,then data Q20 = D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole diagram.
READ
2
READ
8
READ
3
NOP
4
NOP
5
WRITE
7
WRITE
6
NOP
1
9
10
Q40
tKHCH
tCO
t
tHC
t
tHA
tSD
tHD
tKHCH
tSD
tHD
DON’T CARE
UNDEFINED
tCLZ
tDOH
tCHZ
SC
tKH
tKHKH
tKL
tCYC
A0
D20
D21
D30
D31
Q00
Q11
Q01
Q10
A1
A2
A3
A4
Q41
tCCQO
tCQOH
tCCQO
tCQOH
tKL
tCYC
K
K
LD
R/W
A
DQ
C
C#
CQ
CQ#
SA
tKH
tKHKH
t
CQD
t
CQDOH
tCQH
tCQHCQH
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1518AV18-278BZC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18-278BZI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18-278BZXC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18-278BZXI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18-300BZC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1518BC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1518JV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II 靜態(tài)隨機存取存儲器 (TWO-WRD BURST) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518JV18-300BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518JV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518JV18-312BZC | 功能描述:IC SRAM 4MX18 DDRII 165-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
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