參數(shù)資料
型號: CY7C1516V18-300BZC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述: 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù): 3/28頁
文件大小: 457K
代理商: CY7C1516V18-300BZC
CY7C1516V18
CY7C1527V18
CY7C1518V18
CY7C1520V18
Document #: 38-05563 Rev. *D
Page 3 of 28
4M x 18 Array
Write
Reg
Write
Reg
Logic Block Diagram (CY7C1518V18)
CLK
Gen.
A
(21: 0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
BWS
[1: 0]
DQ
[17: 0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
18
18
36
18
V
REF
W
18
22
C
C
18
LD
Burst
Logic
A0
A
(21:1)
21
CQ
CQ
R/W
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1520V18)
CLK
Gen.
A
(20:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
BWS
[3:0]
DQ
[35: 0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
36
36
72
36
V
REF
W
36
21
C
C
36
LD
Burst
Logic
A0
A
(20:1)
20
2M x 36 Array
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
36
R/W
DOFF
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1520V18-167BZXC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1520V18-167BZXI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1520V18-200BZC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1520V18-200BZI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1520V18-200BZXC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1518-250BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1518AV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1518AV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1518AV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1518AV18-250BZXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray