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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1516AV18-300BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1133K |
| 代理商： | CY7C1516AV18-300BZI |
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PRELIMINARY
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
Document #: 001-06982 Rev. *B
Page 4 of 28
Pin Configurations
[1]
Note:
1. V
SS
/144M and V
SS
/288M are not connected to the die and can be tied to any voltage level.
CY7C1516AV18 (8M x 8)
5
NWS
1
R/W
A
NC
V
SS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
DD
V
DDQ
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
A
V
SS
A
A
A
A
2
A
3
A
4
6
K
K
A
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQ4
NC
DQ5
NC
NC
TDO
NC
NC
NC
V
REF
NC
DQ6
NC
NC
NC
TCK
NC
NWS
0
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
DQ7
A
V
DD
V
SS
A
A
C
V
DD
8
9
A
10
A
NC
NC
NC
NC
11
CQ
DQ3
NC
NC
NC
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQ2
NC
NC
ZQ
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ1
NC
NC
NC
NC
DQ0
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDI
TMS
A
CY7C1527AV18 (8M x 9)
5
NC
R/W
A
NC
V
SS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
DD
V
DDQ
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
A
V
SS
A
A
A
A
2
A
3
A
4
6
K
K
A
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQ4
NC
DQ5
NC
NC
TDO
NC
NC
NC
V
REF
NC
DQ6
NC
NC
NC
TCK
NC
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
DQ7
A
V
DD
V
SS
A
A
C
V
DD
8
9
A
10
A
NC
NC
NC
NC
11
CQ
DQ3
NC
NC
DQ8
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQ2
NC
NC
ZQ
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ1
NC
NC
NC
NC
DQ0
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDI
TMS
A
165-ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1516AV18-300BZXC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1516AV18-300BZXI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18 | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18-167BZC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18-167BZI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1518-250BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1518AV18-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518AV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518AV18-250BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518AV18-250BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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