參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1474V33-200BGXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
中文描述： 1M X 72 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA209
封裝： 14 X 22 MM, 1.76 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-209
文件頁(yè)數(shù)： 14/28頁(yè)
文件大小： 378K
代理商： CY7C1474V33-200BGXC
PRELIMINARY
CY7C1470V33
CY7C1472V33
CY7C1474V33
Document #: 38-05289 Rev. *E
Page 14 of 28
3.3V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels................................................ V
SS
to 3.3V
Input rise and fall times................................................... 1 ns
Input timing reference levels...........................................1.5V
Output reference levels...................................................1.5V
Test load termination supply voltage...............................1.5V
3.3V TAP AC Output Load Equivalent
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels.................................................V
SS
to 2.5V
Input rise and fall time .....................................................1 ns
Input timing reference levels.........................................1.25V
Output reference levels ................................................1.25V
Test load termination supply voltage ............................1.25V
2.5V TAP AC Output Load Equivalent
TDO
1.5V
20pF
Z = 50
50
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
50
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < T
A
< +70°C; V
DD
= 3.135V to 3.6V unless otherwise noted)
[11]
Parameter
Description
V
OH1
Output HIGH Voltage I
OH
= –4.0 mA,V
DDQ
= 3.3V
Test Conditions
Min.
2.4
2.0
2.9
2.1
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
I
OH
= –1.0 mA,V
DDQ
= 2.5V
V
OH2
Output HIGH Voltage I
OH
= –100 μA
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
OL1
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA
I
OL
= 1.0 mA
I
OL
= 100 μA
0.4
0.4
0.2
0.2
V
OL2
Output LOW Voltage
V
IH
Input HIGH Voltage
2.0
1.7
–0.3
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0.7
5
V
IL
Input LOW Voltage
I
X
Note:
11. All voltages referenced to V
SS
(GND.
Input Load Current
GND < V
IN
< V
DDQ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1474V33-250BGC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1474V33-250BGXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1474V25 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1474V25-167BGC 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1474V25-167BGXC 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1475BV25-133BGXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (1Mx72) 2.5v 133MHz FLO-THRU 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1475V33-100AXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:72MB (1MBX72) NOBL FLOW-THRU, 3.3V CORE, 2.5/3.3V I/O - Bulk
CY7C1475V33-100BGC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 72MBIT 1MX72 8.5NS 209FBGA - Bulk
CY7C1475V33-133BGC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 3.3V 72MBIT 1MX72 6.5NS 209FBGA - Bulk
CY7C14802BC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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