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參數資料
| 型號： | CY7C1472V33-250BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| 中文描述： | 4M X 18 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165 |
| 文件頁數： | 2/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 378K |
| 代理商： | CY7C1472V33-250BZC |
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PRELIMINARY
CY7C1470V33
CY7C1472V33
CY7C1474V33
Document #: 38-05289 Rev. *E
Page 2 of 28
Logic Block Diagram-CY7C1472V33 (4M x 18)
A0, A1, A
C
MODE
BW
a
BW
b
WE
CE1
CE2
CE3
OE
READ LOGIC
DQs
DQP
a
DQP
b
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
ARRAY
E
E
INPUT
REGISTER 0
ADDRESS
REGISTER 0
WRITE ADDRESS
REGISTER 1
WRITE ADDRESS
REGISTER 2
WRITE REGISTRY
AND DATA COHERENCY
CONTROL LOGIC
BURST
LOGIC
A0'
A1'
D1
D0
Q1
Q0
A0
A1
C
ADV/LD
ADV/LD
E
INPUT
REGISTER 1
S
E
N
S
E
A
M
P
S
O
U
T
P
U
T
R
E
G
I
S
T
E
R
S
E
CLK
CEN
WRITE
DRIVERS
ZZ
CSleep
Logic Block Diagram-CY7C1474V33 (1M x 72)
A0, A1, A
C
MODE
CE1
CE2
CE3
OE
READ LOGIC
DQs
DQP
a
DQP
b
DQP
c
DQP
d
DQP
e
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f
DQP
g
DQP
h
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
ARRAY
E
E
INPUT
REGISTER 0
ADDRESS
REGISTER 0
WRITE ADDRESS
REGISTER 1
WRITE ADDRESS
REGISTER 2
BURST
LOGIC
A0'
A1'
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D0
Q1
Q0
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BW
a
BW
b
BW
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BW
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h
ADV/LD
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INPUT
REGISTER 1
S
E
N
S
E
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E
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S
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CEN
WRITE
DRIVERS
WE
ZZ
CSleep
WRITE REGISTRY
AND DATA COHERENCY
CONTROL LOGIC
Selection Guide
CY7C1470V33-250
CY7C1472V33-250
CY7C1474V33-250
3.0
500
120
CY7C1470V33-200
CY7C1472V33-200
CY7C1474V33-200
3.0
500
120
CY7C1470V33-167
CY7C1472V33-167
CY7C1474V33-167
3.4
450
120
Unit
ns
mA
mA
Maximum Access Time
Maximum Operating Current
Maximum CMOS Standby Current
Shaded areas contain advance information.
Please contact your local Cypress sales representative for availability of these parts.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1472V33-250BZXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1474V33 | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1474V33-167BGC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1474V33-167BGI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1474V33-167BGXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CY7C1472XC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C147-35KMB | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1473BV33-133AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 3.3v 133MHz 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1474BV25-167BGC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx72, 2.5V NoBL PL RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1474BV25-167BGCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx72, 2.5V NoBL PL RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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