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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1472V33-167BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| 中文描述： | 4M X 18 ZBT SRAM, 3.4 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 20/28頁 |
| 文件大小： | 378K |
| 代理商： | CY7C1472V33-167BZXI |
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PRELIMINARY
CY7C1470V33
CY7C1472V33
CY7C1474V33
Document #: 38-05289 Rev. *E
Page 20 of 28
Capacitance
[15]
Thermal Resistance
[15]
Parameter
C
ADDRESS
C
DATA
C
CTRL
C
CLK
C
I/O
Description
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
TQFP
Max.
6
5
8
6
5
209-BGA
Max.
6
5
8
6
5
165-fBGA
Max.
6
5
8
6
5
Unit
pF
pF
pF
pF
pF
Address Input Capacitance
Data Input Capacitance
Control Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Input/Output Capacitance
Parameters
Θ
JA
Description
Test Conditions
Test conditions follow standard
test methods and procedures for
measuring thermal impedance,
per EIA / JESD51.
165 fBGA
Package
16.3
209 BGA
Package
15.2
TQFP
Package
24.63
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Θ
JC
2.1
1.7
2.28
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
Note:
15.Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
OUTPUT
R = 317
R = 351
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
L
= 1.5V
3.3V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1 ns
≤
1 ns
(c)
3.3V I/O Test Load
OUTPUT
R = 1667
R = 1538
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
L
= 1.25V
2.5V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1 ns
≤
1 ns
(c)
2.5V I/O Test Load
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1472V33-200AXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1472V33-200BZC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1472V33-200BZXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CY7C1472V33-200AXCKJ | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1472V33-200AXCT | 功能描述:IC SRAM 72MBIT 200MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:NoBL™ 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY7C1472V33-200BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1472V33-200BZIT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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