參數(shù)資料
型號： CY7C1418BV18-300BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 4/28頁
文件大?。?/td> 1132K
代理商： CY7C1418BV18-300BZXI
PRELIMINARY
CY7C1416BV18
CY7C1427BV18
CY7C1418BV18
CY7C1420BV18
Document Number: 001-07033 Rev. *B
Page 4 of 28
Pin Configurations
CY7C1416BV18 (4M x 8)
5
NWS
1
R/W
A
NC/288M
V
SS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
DD
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DDQ
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A
A
A
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3
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K
K
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DOFF
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NC
NC/72M
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NC
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NC/144M
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NC
NC
DQ4
NC
DQ5
NC
NC
TDO
NC
NC
NC
V
REF
NC
DQ6
NC
NC
NC
TCK
NC
NWS
0
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
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DD
V
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DD
A
C
V
SS
V
SS
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SS
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SS
V
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DD
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SS
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
DQ7
A
V
DD
V
SS
A
A
C
V
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8
9
A
10
A
NC
NC
NC
NC
11
CQ
DQ3
NC
NC
NC
LD
A
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SS
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SS
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A
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NC
DQ2
NC
NC
ZQ
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V
REF
DQ1
NC
NC
NC
NC
DQ0
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDI
TMS
A
CY7C1427BV18 (4M x 9)
5
NC
NC/288M
A
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SS
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DDQ
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SS
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NC
NC/72M
NC
NC
NC
R/W
A
V
SS
V
SS
NC/144M
NC
NC
NC
DQ4
NC
DQ5
NC
NC
TDO
NC
NC
NC
V
REF
NC
DQ6
NC
NC
NC
TCK
NC
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
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DD
A
C
V
SS
V
SS
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A
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A
A
C
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A
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A
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CQ
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DQ8
LD
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A
A
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DQ2
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V
REF
DQ1
NC
NC
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DQ0
V
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NC
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NC
NC
NC
TDI
TMS
A
165-ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1440AV33 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined Sync SRAM(36-Mb (1M x 36/2M x 18/512K x 72)管道式同步SRAM)
CY7C1442AV33 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined Sync SRAM(36-Mb (1M x 36/2M x 18/512K x 72)管道式同步SRAM)
CY7C1446AV33 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined Sync SRAM(36-Mb (1M x 36/2M x 18/512K x 72)管道式同步SRAM)
CY7C1460AV25 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM)
CY7C1464AV25 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1418JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418JV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418KV18-250BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36864KB 1ms 430mA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418KV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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