參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1418BV18-278BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 5/28頁
文件大?。?/td> 1132K
代理商： CY7C1418BV18-278BZXI
PRELIMINARY
CY7C1416BV18
CY7C1427BV18
CY7C1418BV18
CY7C1420BV18
Document Number: 001-07033 Rev. *B
Page 5 of 28
Pin Configurations
(continued)
CY7C1418BV18 (2M x 18)
2
3
A
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5
6
K
K
A0
V
SS
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NC/72M
DQ9
NC
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1
NC/288M
A
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A
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DDQ
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A
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NC
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NC
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REF
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NC
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0
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NC
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A
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CQ
DQ8
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DQ4
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TDI
TMS
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NC/144M
DQ27
NC
DQ29
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BWS
3
A
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R/W
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A
A
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1
BWS
0
A
V
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DQ18
DQ28
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NC
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TDO
NC
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V
REF
NC
DQ33
NC
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NC
TCK
NC
V
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A
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A
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A
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CQ
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DQ16
DQ0
NC/72M
NC
DQ17
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DQ15
LD
A
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A
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ZQ
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DQ9
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V
REF
DQ13
DQ12
NC
DQ11
DQ3
DQ2
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQ4
DQ1
DQ10
TDI
TMS
A
CY7C1420BV18 (1M x 36)
165-ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1418BV18-300BZC 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-300BZI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-300BZXC 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-300BZXI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1440AV33 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined Sync SRAM(36-Mb (1M x 36/2M x 18/512K x 72)管道式同步SRAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1418JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418JV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418KV18-250BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36864KB 1ms 430mA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418KV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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