參數(shù)資料
型號： CY7C1418BV18-278BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 26/28頁
文件大?。?/td> 1132K
代理商： CY7C1418BV18-278BZXI
PRELIMINARY
CY7C1416BV18
CY7C1427BV18
CY7C1418BV18
CY7C1420BV18
Document Number: 001-07033 Rev. *B
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CY7C1416BV18-250BZI
CY7C1427BV18-250BZI
CY7C1418BV18-250BZI
CY7C1420BV18-250BZI
CY7C1416BV18-250BZXI
CY7C1427BV18-250BZXI
CY7C1418BV18-250BZXI
CY7C1420BV18-250BZXI
CY7C1416BV18-200BZC
CY7C1427BV18-200BZC
CY7C1418BV18-200BZC
CY7C1420BV18-200BZC
CY7C1416BV18-200BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1427BV18-200BZXC
CY7C1418BV18-200BZXC
CY7C1420BV18-200BZXC
CY7C1416BV18-200BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-200BZI
CY7C1418BV18-200BZI
CY7C1420BV18-200BZI
CY7C1416BV18-200BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1427BV18-200BZXI
CY7C1418BV18-200BZXI
CY7C1420BV18-200BZXI
CY7C1416BV18-167BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-167BZC
CY7C1418BV18-167BZC
CY7C1420BV18-167BZC
CY7C1416BV18-167BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1427BV18-167BZXC
CY7C1418BV18-167BZXC
CY7C1420BV18-167BZXC
CY7C1416BV18-167BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-167BZI
CY7C1418BV18-167BZI
CY7C1420BV18-167BZI
CY7C1416BV18-167BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1427BV18-167BZXI
CY7C1418BV18-167BZXI
CY7C1420BV18-167BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Industrial
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51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
Industrial
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51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Commercial
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Industrial
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Industrial
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Commercial
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Industrial
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Industrial
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(continued)
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PDF描述
CY7C1418BV18-300BZC 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-300BZI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-300BZXC 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-300BZXI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1440AV33 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined Sync SRAM(36-Mb (1M x 36/2M x 18/512K x 72)管道式同步SRAM)
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參數(shù)描述
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CY7C1418KV18-250BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36864KB 1ms 430mA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418KV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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