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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1418BV18-278BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 25/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1132K |
| 代理商： | CY7C1418BV18-278BZXC |
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PRELIMINARY
CY7C1416BV18
CY7C1427BV18
CY7C1418BV18
CY7C1420BV18
Document Number: 001-07033 Rev. *B
Page 25 of 28
Ordering Information
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Speed
(MHz)
Ordering Code
Diagram
300
CY7C1416BV18-300BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-300BZC
CY7C1418BV18-300BZC
CY7C1420BV18-300BZC
300
CY7C1416BV18-300BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1427BV18-300BZXC
CY7C1418BV18-300BZXC
CY7C1420BV18-300BZXC
300
CY7C1416BV18-300BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-300BZI
CY7C1418BV18-300BZI
CY7C1420BV18-300BZI
300
CY7C1416BV18-300BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1427BV18-300BZXI
CY7C1418BV18-300BZXI
CY7C1420BV18-300BZXI
278
CY7C1416BV18-278BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-278BZC
CY7C1418BV18-278BZC
CY7C1420BV18-278BZC
278
CY7C1416BV18-278BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1427BV18-278BZXC
CY7C1418BV18-278BZXC
CY7C1420BV18-278BZXC
278
CY7C1416BV18-278BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-278BZI
CY7C1418BV18-278BZI
CY7C1420BV18-278BZI
278
CY7C1416BV18-278BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1427BV18-278BZXI
CY7C1418BV18-278BZXI
CY7C1420BV18-278BZXI
250
CY7C1416BV18-250BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-250BZC
CY7C1418BV18-250BZC
CY7C1420BV18-250BZC
250
CY7C1416BV18-250BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1427BV18-250BZXC
CY7C1418BV18-250BZXC
CY7C1420BV18-250BZXC
Package
Package Type
Operating
Range
Commercial
Industrial
Industrial
Commercial
Industrial
Industrial
Commercial
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1418BV18-278BZXI | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1418BV18-300BZC | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1418BV18-300BZI | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1418BV18-300BZXC | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1418BV18-300BZXI | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1418JV18-300BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1418JV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1418KV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1418KV18-250BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36864KB 1ms 430mA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1418KV18-250BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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